LM311DRG

品牌

HGC(深圳汉芯)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C5145295

比较器数

单路

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

1.7nA

传播延迟(tpd)

200ns

描述高灵活性电压比较器 LM211/LM311 能工作于 5V~30V 的单电源或 ±15V 的双电源，和常用的比较器一样，LM211/LM311 可成为一种真正的通用比较器。LM211/LM311 输入可与系统隔离，而输出可以地为参考，也可以电源或 VEE 为参考，此灵活性可以驱动 DTL、RTL、TTL 或 MOS 电平逻辑。在输出电流 50mA 时，该输出可以把电压切换到 50V，可用于驱动继电器、灯或螺线管。

RoHSSMT扩展库

LM311DR(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C18212277

比较器数

单路

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

45nA

传播延迟(tpd)

200ns

描述LM311DR和LM211DR可在5V至30V的单电源或±15V的双电源下工作。与常用的比较器一样，LM311可成为真正的通用比较器。LM311DR和LM211DR的输入可与系统隔离，输出可参考地、电源或VEE

RoHSSMT扩展库

LM311DR-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C42436869

比较器数

单路

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

100nA

输出模式

TTL

描述单高速电压比较器，设计用于在宽范围的电源电压下工作，包括用于运算放大器的±15V电源和用于逻辑系统的5V电源。输出电平与大多数TTL和MOS电路兼容，能够驱动灯或继电器，并能在50mA下切换高达40V的电压。所有输入和输出都可以与系统地隔离，输出可以驱动以地、VCC+或VCC-为参考的负载。具备失调平衡和选通功能，输出可以进行线或连接。如果选通为低电平，无论差分输入如何，输出都处于关断状态。

RoHSSMT扩展库

LM311DR2G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOIC-8

类目

比较器

编号

C231850

比较器数

单路

输入失调电压(Vos)

700uV

输入偏置电流(Ib)

45nA

传播延迟(tpd)

200ns

描述该器件能够在5.0 V至30 V的单电源或±15 V的双电源（运算放大器常用电源）下工作，这使得LM211/LM311成为一款真正通用的比较器。此外，该器件的输入可以与系统地隔离，而输出可以驱动以地、VCC或VEE电源为参考的负载。这种灵活性使得它能够驱动DTL、RTL、TTL或MOS逻辑电路。输出还能在50 mA电流下切换高达50 V的电压，因此，LM211/LM311可用于驱动继电器、指示灯或螺线管。

RoHSSMT扩展库

LM311DRE4

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

比较器

编号

C3658463

比较器数

单路

输入失调电压(Vos)

3mV

输入偏置电流(Ib)

100nA

传播延迟(tpd)

165ns

描述LM311 具有选通信号的高速 30V 差分比较器

RoHSSMT扩展库

LM211DR(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C18212278

比较器数

单路

输入失调电压(Vos)

700uV

输入偏置电流(Ib)

45nA

传播延迟(tpd)

200ns

描述LM311DR和LM211DR可在5V至30V的单电源或±15V的双电源下工作。与常用的比较器一样，LM311可成为真正的通用比较器。LM311DR和LM211DR的输入可与系统隔离，输出可参考地、电源或VEE

RoHSSMT扩展库

LM311M/TR

品牌

HGSEMI(华冠)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C434495

比较器数

单路

输入失调电压(Vos)

7.5mV

输入偏置电流(Ib)

250nA

传播延迟(tpd)

300ns

描述能工作于5V至30V的单电源或±15V的双电源，和常用的比较器一样，可成为一种真正的通用比较器。输入可与系统隔离，而输出可以地为参考，也可以电源或VEE为参考，此灵活性可以驱动DTL、RTL、TTL或MOS电平逻辑。在输出电流50mA时，该输出可以把电压切换到50V，可用于驱动继电器、灯或螺线管。

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