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升压型 2.97V~40V
LM3478MAX/NOPB
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C115907
功能类型
升压型
工作电压
2.97V~40V
开关频率
1MHz
工作温度
-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478是一个高效率的低侧N沟道MOSFET控制器,适用于各种开关电源拓扑,包括升压、反激、SEPIC等。它具有宽输入电压范围(2.97V至40V)和可调开关频率(100kHz至1MHz)。内置功能包括过温保护、短路保护和过压保护等。

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2500/圆盘

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近期成交78单

升压型 2.97V~40V
LM3478MMX/NOPB
品牌
TI(德州仪器)
封装
VSSOP-8-0.65mm
类目
DC-DC电源芯片
编号
C404045
功能类型
升压型
工作电压
2.97V~40V
开关频率
100kHz~1MHz
工作温度
-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478 2.97V~40V 宽输入范围升压/SEPIC/反激式直流/直流控制器

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3500/圆盘

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近期成交100单+

升压型 2.97V~40V
LM3478MM/NOPB
品牌
TI(德州仪器)
封装
VSSOP-8-0.65mm
类目
DC-DC电源芯片
编号
C9404
功能类型
升压型
工作电压
2.97V~40V
开关频率
100kHz~1MHz
工作温度
-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478 2.97V~40V 宽输入范围升压/SEPIC/反激式直流/直流控制器

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1000/圆盘

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近期成交43单

升压型 2.97V~40V
LM3478QMMX/NOPB
品牌
TI(德州仪器)
封装
VSSOP-8-0.65mm
类目
DC-DC电源芯片
编号
C2658289
功能类型
升压型
工作电压
2.97V~40V
开关频率
1MHz
工作温度
-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478Q-Q1是适用于开关稳压器的多功能低侧N沟道MOSFET控制器。它适用于需要低侧MOSFET的拓扑,如升压、反激、SEPIC等。LM3478Q-Q1具备1A峰值电流能力的内部推挽驱动器,能够以极高的开关频率运行,以缩小总体解决方案规模。开关频率可通过单个外部电阻器调整为介于100kHz和1MHz之间的任意值。除了逐周期电流限制外,电流模式控制还可以提供出色的带宽和瞬态响应。可以使用单个外部电阻器对输出电流进行编程。LM3478Q-Q1内置热关断、短路保护、过压保护等特性。节能关断模式可以将总电源电流降低至5μA并允许进行电源定序。内部软启动会在启动时限制浪涌电流。

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3500/圆盘

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近期成交15单

升压型 2.97V~40V
LM3478QMM/NOPB
品牌
TI(德州仪器)
封装
VSSOP-8-0.65mm
类目
DC-DC电源芯片
编号
C209841
功能类型
升压型
工作电压
2.97V~40V
开关频率
1MHz
工作温度
-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478是一款高效的低侧N通道MOSFET控制器,适用于开关电源。它支持多种拓扑结构,如升压、反激、SEPIC等。该控制器具有内部推挽驱动器,峰值电流能力为1A,可调节的开关频率范围为100kHz至1MHz,支持电流模式控制和多种保护功能。

RoHS

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订货1-3个工作日
库存
955
增量
1
最小包装
1000个

总额0

升压型 2.97V~40V
LM3478MA/NOPB
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-8
类目
DC-DC电源芯片
编号
C1530061
功能类型
升压型
工作电压
2.97V~40V
开关频率
1MHz
工作温度
-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478是一款高效率低侧N沟道MOSFET控制器,适用于多种拓扑结构,如升压、反激、SEPIC等。其内部具有推挽驱动器,峰值电流可达1 A,支持100kHz到1MHz的可调开关频率。该芯片还具有电流限制和热关断功能。

RoHS

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订货7-9个工作日
库存
17K
增量
1000
最小包装
95个

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LM3478MAX/S7002754
开关管(内置/外置)
外置
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