LM3478MAX/NOPB

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

DC-DC电源芯片

编号

C115907

功能类型

升压型

工作电压

2.97V~40V

开关频率

1MHz

工作温度

-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478是一个高效率的低侧N沟道MOSFET控制器,适用于各种开关电源拓扑,包括升压、反激、SEPIC等。它具有宽输入电压范围（2.97V至40V）和可调开关频率（100kHz至1MHz）。内置功能包括过温保护、短路保护和过压保护等。

RoHSSMT扩展库

LM3478MM/NOPB

品牌

TI(德州仪器)

封装

VSSOP-8-0.65mm

类目

DC-DC电源芯片

编号

C9404

功能类型

升压型

工作电压

2.97V~40V

开关频率

100kHz~1MHz

工作温度

-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478 2.97V~40V 宽输入范围升压/SEPIC/反激式直流/直流控制器

RoHSSMT扩展库

LM3478QMMX/NOPB

品牌

TI(德州仪器)

封装

VSSOP-8-0.65mm

类目

DC-DC电源芯片

编号

C2658289

功能类型

升压型

工作电压

2.97V~40V

开关频率

1MHz

工作温度

-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478Q-Q1是适用于开关稳压器的多功能低侧N沟道MOSFET控制器。它适用于需要低侧MOSFET的拓扑,如升压、反激、SEPIC等。LM3478Q-Q1具备1A峰值电流能力的内部推挽驱动器,能够以极高的开关频率运行,以缩小总体解决方案规模。开关频率可通过单个外部电阻器调整为介于100kHz和1MHz之间的任意值。除了逐周期电流限制外,电流模式控制还可以提供出色的带宽和瞬态响应。可以使用单个外部电阻器对输出电流进行编程。LM3478Q-Q1内置热关断、短路保护、过压保护等特性。节能关断模式可以将总电源电流降低至5μA并允许进行电源定序。内部软启动会在启动时限制浪涌电流。

RoHSSMT扩展库

LM3478QMM/NOPB

品牌

TI(德州仪器)

封装

VSSOP-8-0.65mm

类目

DC-DC电源芯片

编号

C209841

功能类型

升压型

工作电压

2.97V~40V

开关频率

1MHz

工作温度

-40℃~+125℃@(TJ)

描述LM3478是一款高效的低侧N通道MOSFET控制器,适用于开关电源。它支持多种拓扑结构,如升压、反激、SEPIC等。该控制器具有内部推挽驱动器,峰值电流能力为1A,可调节的开关频率范围为100kHz至1MHz,支持电流模式控制和多种保护功能。

RoHSSMT扩展库

LM3478MAX/S7002754

品牌

TI(德州仪器)

封装

-

类目

DC-DC电源芯片

编号

C3187163

开关管(内置/外置)

外置

SMT扩展库