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    • 肖特基二极管
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电压:30V 电流:500mA
MBR0530T1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C82046
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
430mV@500mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
500mA

描述该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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近期成交100单+

电压:30V 电流:0.5A
MBR0530T1G
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C7436545
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
430mV@0.5A
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
500mA

描述特性:适用于低电压、高频逆变器。 适用于续流和极性保护应用

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近期成交52单

电压:30V 电流:0.5A
MBR0530T1G-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C18190124
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
375mV
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
500mA

描述适用于开关电源、高频整流、便携式设备中的低压降应用场合。

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5600

3000/圆盘

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近期成交13单

电压:30V 电流:0.5A
LMBR0530T1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C18863
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
450mV
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
500mA

描述采用肖特基势垒原理,带有大面积金属硅功率二极管。非常适合用于低压、高频整流,或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管。该封装还为无引脚34封装样式提供了一种易于使用的替代方案。

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11K+

3000/圆盘

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近期成交100单+

电压:30V 电流:0.5A
MBR0530T1G
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C19829617
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
440mV@0.5A
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
500mA

描述这款肖特基二极管,正向导通电压VF低,确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。

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4060

3000/圆盘

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近期成交3单

电压:40V 电流:1A
MBR0530T1G-GK
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C42395478
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
580mV@1A
直流反向耐压(Vr)
40V
整流电流
1A

描述电压:40V 电流:1A

RoHS

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1100

3000/圆盘

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近期成交5单

电压:30V 电流:0.5A
MBR0530T1G
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C20611944
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
550mV@500mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
500mA

描述这款采用SOD-123小型封装的肖特基二极管,具有30V的反向耐压和0.5A的正向电流容量,其优秀的正向导通电压VF低至0.55V,确保了在低压差应用场合下的高效能与低功耗表现。适用于各类便携式设备、电源适配器以及要求快速恢复时间和高效率整流的电路设计中。

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3000/圆盘

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近期成交3单

替代参考
电压:30V 电流:500mA
MBR0530
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C5204746
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
500mV@500mA
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
500mA

描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):500mA 正向压降(Vf):550mV@500mA 30V,0.5A,VF=0.55V@0.5A

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近期成交100单+

替代参考
低正向压降、高电导二极管
B0530W
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOD-123
类目
肖特基二极管
编号
C5189257
正向压降(Vf)
375mV@0.1A;430mV@0.5A
直流反向耐压(Vr)
30V
整流电流
500mA
反向电流(Ir)
20uA@15V;130uA@30V

描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):500mA 正向压降(Vf):430mV@500mA

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SMT补贴嘉立创库存1476
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3000/圆盘

总额0

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