MBRS340T3G-FS

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SMC(DO-214AB)

类目

肖特基二极管

编号

C5563744

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

500mV@3A

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

3A

描述特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级，适用于表面贴装应用。 金属硅结，多数载流子传导。 低功耗，高效率。 内置应力消除，适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接：端子在260℃下可承受10秒。 符合RoHS 2.0标准

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VS-MBRS340-M3/9AT

品牌

VISHAY(威世)

封装

SMC(DO-214AB)

类目

肖特基二极管

编号

C506617

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

680mV@6A

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

3A

描述VS - MBRS340 - M3 表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降和在 PCB 板上占用空间小的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护。

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MBRS340T3G-GK

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SMC

类目

肖特基二极管

编号

C51912403

正向压降(Vf)

550mV@5A

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

5A

反向电流(Ir)

100uA

描述肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

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MBRS340T3G(MS)

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SMC

类目

肖特基二极管

编号

C22399575

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

525mV@3A

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

4A

描述此款肖特基采购SMC封装，具备正向压降(Vf)：0.525V@3A，直流反向耐压(Vr)：40V,平均整流电流(Io)：3A适于电源转换、电池保护电路、信号保护、高频电路便携式电子设备，强劲的性能满足你的电路设计需求

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VS-MBRS340-M3

品牌

Tokmas(托克马斯)

封装

DO-214AB

类目

肖特基二极管

编号

C5338054

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

430mV

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

3A

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MBRS340T3G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SMC

类目

肖特基二极管

编号

C52988717

正向压降(Vf)

550mV@3A

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

3A

反向电流(Ir)

100uA@40V

描述该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，具备良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与续流场合，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的低压输出电路中。

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VSMBRS340-M3/9AT-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SMC

类目

肖特基二极管

编号

C52988762

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

550mV@3A

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

3A

描述该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关电路等场合。

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MBRS340

品牌

onsemi(安森美)

封装

SMC(DO-214AB)

类目

肖特基二极管

编号

C117937

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

525mV@3A

直流反向耐压(Vr)

40V

整流电流

3A

描述该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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