MBT3906DW1T1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-363

类目

三极管(BJT)

编号

C154788

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

150mW

描述该产品是流行的SOT-23/SOT-323三引脚设备的衍生产品，专为通用放大器应用而设计，采用SOT-363六引脚表面贴装封装。将两个分立器件封装在一个封装中，非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

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MBT3906DW1T1G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-363

类目

三极管(BJT)

编号

C46682396

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

200mW

直流电流增益(hFE)

300@10mA,1V

描述这款双PNP型三极管（BJT）组件，每支三极管的集电极电流IC为0.2A，适用于低电流需求的电路设计。最大集电极-发射极电压VCEO达到40V，提供了良好的电压耐受性。直流电流增益HFE在100至300之间，确保了信号放大时的高效性能。特征频率FT为250MHz，使得它在高频操作环境下依然保持优秀的响应速度和稳定性。此组件非常适合于需要高灵敏度和快速响应的电子系统中，如音频处理和精密信号放大应用。

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SMBT3906DW1T1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-363

类目

三极管(BJT)

编号

C894327

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

150mW

描述MBT3906DW1器件是我们广受欢迎的SOT−23/SOT−323三引脚器件的衍生产品。它专为通用放大器应用而设计，采用SOT−363六引脚表面贴装封装。通过将两个分立器件封装在一个封装中，该器件非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用

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MMDT3906

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-363

类目

三极管(BJT)

编号

C5204741

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

200mW

描述晶体管类型：2个PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V

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