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  • 类目
    • 达林顿晶体管阵列
  • 品牌
    • HGSEMI(华冠)
    • XINLUDA(信路达)
    • HGC(深圳汉芯)
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高压大电流达林顿晶体管阵列
MC1413BDR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C7289
通道数
七路
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V
工作温度
-40℃~+85℃

描述高电压、大电流达林顿晶体管阵列

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近期成交100单+

替代参考
达林顿阵列功率驱动集成电路
MC1413DRG
品牌
HGC(深圳汉芯)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C5145248
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述七路高耐压大电流达林顿驱动电路 50V 500mA

RoHSSMT扩展库

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替代参考
达林顿阵列功率驱动集成电路
MC1413BM/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C7432124
通道数
七路
集射极击穿电压(Vceo)
50V
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
30V

描述达林顿驱动 七路高耐压大电流达林顿驱动电路 50V 500mA

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近期成交6单

替代参考
7通道NPN达林顿晶体管阵列IC
XL1413
品牌
XINLUDA(信路达)
封装
SOP-16
类目
达林顿晶体管阵列
编号
C556277
通道数
七路
集电极电流(Ic)
500mA
最大输入电压(VI)
25V
工作温度
-20℃~+85℃

描述开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic):3V@2V,300mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic):1.1V@500uA,350mA 输出漏电流(Icex@Vce):50uA@50V 开态输入电流(Ii@Vi):930uA@3.85V 关态输入电流(Ii(off)@Vce,Ic):100uA@500uA 嵌位二极管漏电流(IR@VR):50uA@50V 嵌位二

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