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MJD44H11T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252(DPAK)
类目
三极管(BJT)
编号
C38780
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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54K+

2500/圆盘

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近期成交100单+

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11T4G
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C41421810
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
50W

描述适用于大功率开关电路与中等放大需求,是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7430
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7360

2500/圆盘

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近期成交27单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11T4G-DW
品牌
DOWO(东沃)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C49195056
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述特性:低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度。 互补型号为MJD44H11。 标记:MJD44H11。应用:功率放大器。 开关电路

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1805
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1805

2500/圆盘

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近期成交5单

8A 80V
MJD44H11T4G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C49006717
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):1000mA 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率: 20W

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1995
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1995

2500/圆盘

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近期成交2单

NPN 电流:8A 电压:80V
NJVMJD44H11T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C604165
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

RoHS

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订货65-67个工作日
库存
90K
增量
2500
最小包装
2500个

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NPN 电流:8A 电压:80V
NJVMJD44H11T4G-VF01
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C154569
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述设计用于通用功率和开关,如开关稳压器、转换器和功率放大器中的输出或驱动级。

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