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PNP 电流:500mA 电压:300V
MJE350G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-225-3
类目
三极管(BJT)
编号
C233750
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
20W

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NPN 电流:500mA 电压:300V
MJE350G
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C5296720
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
20W
直流电流增益(hFE)
240

描述三极管@@MJE350 MJE350STU 350

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PNP塑料封装晶体管
MJE350
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C50275343
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
625mW

描述该PNP型三极管具有0.5A集电极电流和300V集电极-发射极耐压,适用于中等功率的信号放大与开关电路。其直流电流增益(HFE)范围为100至250,表现出稳定的电流放大能力与良好的线性特性。器件可用于电源反向控制、电平转换、继电器驱动及小功率音频信号处理等应用。较高的电压耐受性能使其适合在存在电压波动的环境中工作,广泛适用于家用电子设备、电源模块、消费类电器控制电路及通用模拟数字混合电路中的信号切换与功率控制需求。

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MJE350
MJE350
品牌
DDF(鼎德丰)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C50229545
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
1.25W

描述晶体管类型:PNP。 集电极电流ICM:-500MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:-300V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:-300V 直流电流增益HFE:200-300

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PNP 电流:500mA 电压:300V
MJE350
品牌
ST(意法半导体)
封装
SOT-32-3
类目
三极管(BJT)
编号
C283403
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
20.8W

描述互补功率晶体管

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MJE350STU
MJE350STU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-126
类目
三极管(BJT)
编号
C179749
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
20W

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