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MMBD7000LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C31774
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
300mW
整流电流
200mA
直流反向耐压(Vr)
100V

描述特性:S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

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3000/圆盘

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近期成交100单+

75V 200mA
MMBD7000LT1G
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C3018493
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
225mW
整流电流
200mA
直流反向耐压(Vr)
75V

描述特性:双开关二极管。 快速开关速度。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 用于通用开关应用

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3000/圆盘

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近期成交81单

电压:75V 电流:200mA
MMBD7000LT1G
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C41414283
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
225mW
整流电流
200mA
直流反向耐压(Vr)
75V

描述该开关二极管适用于电源转换、信号切换及电路保护等电子设备

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3000/圆盘

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近期成交31单

IF:0.2A VR:100V VF:1.1V IFSM:2A
MMBD7000LT1G
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
肖特基二极管
编号
C20616314
二极管配置
1对串联式
正向压降(Vf)
1.1V@100mA
直流反向耐压(Vr)
75V
整流电流
200mA

描述高频开关电源 汽车电子系统 通信设备 LED驱动电路 高速逻辑门电路 电机驱动器 高频开关稳压器

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3000

3000/圆盘

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近期成交8单

MMBD7000LT1G-MS
MMBD7000LT1G-MS
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C52287386
二极管配置
1对串联式
耗散功率(Pd)
350mW
整流电流
200mA
直流反向耐压(Vr)
100V

描述此款MMBD7000LT1G-MS是一款开关二极管,采用SOT-23封装,核心参数适配高频场景:100V反向耐压、200mA正向电流满足中小功率需求,应用聚焦多领域:适用于消费电子的DC-DC转换器、LED驱动,通信设备高频信号整流与电压钳位。

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2550

3000/圆盘

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近期成交1单

100V 200mA
MMBD7000LT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C42419978
耗散功率(Pd)
225mW
整流电流
200mA
直流反向耐压(Vr)
100V
正向压降(Vf)
820mV@10mA

描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 二极管配置: 1对串联式 正向压降(Vf): 750mV@100mA 直流反向耐压(Vr): 100V 整流电流(Io): 200mA

RoHS

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近期成交2单

100V 200mA
SMMBD7000LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23-3
类目
通用二极管
编号
C464265
二极管配置
1对串联式
正向压降(Vf)
1.1V@100mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
200mA

描述特性:S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

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近期成交1单

替代参考
100V 200mA
MMBD7000
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-23
类目
开关二极管
编号
C47283697
耗散功率(Pd)
350mW
整流电流
200mA
直流反向耐压(Vr)
100V
正向压降(Vf)
1.1V@100mA

描述正向压降(Vf): 550mV@1mA 直流反向耐压(Vr): 100V 整流电流: 200mA

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近期成交20单