MMBF170LT1G(ES)

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C49108764

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.05Ω@4.5V；1.85Ω@10V

描述带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

RoHSSMT扩展库

MMBF170LT1G-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558195

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

250mA

导通电阻(RDS(on))

2.8Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

SMT扩展库

LM-MMBF170LT1G

品牌

Leiditech(雷卯电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5353609

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

340mA

导通电阻(RDS(on))

3Ω@4.5V

描述采用沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏

RoHS

MMBF170

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C19829421

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

300mA

导通电阻(RDS(on))

2.5Ω@4.5V

描述特性：VDS = 60V。 ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

SMT扩展库

VB162K

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C416209

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

250mA

导通电阻(RDS(on))

2.8Ω@10V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；