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- 栅源截止电压(VGS(off))
- 2V
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 60Ω
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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