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500mV@10nA
MMBF4393LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
结型场效应管(JFET)
编号
C152291
数量
1个N沟道
栅源截止电压(VGS(off))
500mV
栅源击穿电压(Vgss)
30V
耗散功率(Pd)
225mW

描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

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N沟道JFET开关晶体管,适用于汽车和其他有特殊要求的应用,无铅、无卤且符合RoHS标准
MMBF4393LT3G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
结型场效应管(JFET)
编号
C896765
数量
1个N沟道
栅源截止电压(VGS(off))
500mV
栅源击穿电压(Vgss)
30V
耗散功率(Pd)
225mW

描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

RoHSSMT扩展库

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近期成交2单

停产 MMBF4393
MMBF4393
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
结型场效应管(JFET)
编号
C124490
数量
1个N沟道
栅源截止电压(VGS(off))
500mV
栅源击穿电压(Vgss)
30V
耗散功率(Pd)
350mW
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SMMBF4393LT1G
SMMBF4393LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
结型场效应管(JFET)
编号
C894334
数量
1个N沟道
栅源击穿电压(Vgss)
30V
耗散功率(Pd)
225mW
导通电阻(RDS(on))
100Ω

RoHS

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