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- 结型场效应管(JFET)
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- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 漏源电流(Idss)
- 5mA@15V
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
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个
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- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@10nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
RoHS
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- 10000个
个
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- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 导通电阻(RDS(on))
- 100Ω
RoHS
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- 对比
- ￥1.1118
订货79-81个工作日
- 库存
- 162K
- 增量
- 3000
- 最小包装
- 3000个
个
总额￥0
- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源截止电压(VGS(off))
- 500mV@1nA
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 30V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
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