收起筛选
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- 三极管(BJT)
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- DIODES(美台)
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自营结果数8
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参数/描述
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价格梯度(含税)
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操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述特性：外延平面芯片结构。 低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA。 互补PNP型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述1.高频共模阻抗高，噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率，可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路；LVDS，用于液体显示面板的面板线，图形卡等
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9.5折
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- ￥0.051775
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述hFE:200-300，丝印:1P
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 350mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 20V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP型（MMBT2907A）
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述放大倍数 100-200 600MA电流
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23
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9.5折
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近期成交3单
