SMMBT2222ALT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C604704

晶体管类型

NPN

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMMBT2222ALT1G

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C49005790

晶体管类型

NPN

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述特性：外延平面管芯结构。 提供互补PNP类型。 超小型表面贴装封装。 MSL 1。应用：用作中功率放大器。 需要集电极电流高达500mA的开关

RoHSSMT扩展库

MMBT2222ALT1G-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C42379417

晶体管类型

NPN

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23

SMMBT2222ALT1G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C46682389

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

直流电流增益(hFE)

300

描述这款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流(IC)能力，最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V，适用于对耐压有一定要求的应用环境。其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间，确保了良好的信号放大性能。特征频率(FT)高达300MHz，使其在高频应用中表现出色，保证了高效稳定的运行。该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景，能够有效提升电路的整体性能，满足复杂电路设计的需求。

RoHSSMT扩展库

MMBT2222A

品牌

FOSAN(富捷/富信)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C2926178

晶体管类型

NPN

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述放大倍数 100-200 600MA电流

RoHSSMT扩展库

MMBT2222A

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C3018496

晶体管类型

NPN

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述特性：外延平面管芯结构。 提供互补PNP型（MMBT2907A）

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