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NPN 电流:600mA 电压:40V
MMBT2222AWT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SC-70(SOT-323)
类目
三极管(BJT)
编号
C28273
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交75单

NPN 电流:600mA 电压:40V
SMMBT2222AWT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SC-70(SOT-323)
类目
三极管(BJT)
编号
C894337
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

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替代参考
NPN 电流:350mA 电压:20V
MMBT2222A
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C916372
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
350mA
集射极击穿电压(Vceo)
20V
耗散功率(Pd)
300mW

描述专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。

SMT扩展库

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替代参考
NPN硅外延平面晶体管
MMBT2222AW
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C49190735
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述特性:与MMBT2907AW互补,适用于开关和放大器应用。 采用SOT323封装

SMT扩展库

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