MMBT2907A_MMBT2907A采购信息-立创电子元器件商城

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- 三极管(BJT)
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- onsemi(安森美)
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MMBT2907ALT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C40752

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 350mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT2907A

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420352

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述特性：与MMBT2222A互补。功率耗散：250mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值温度为260℃

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MMBT2907A(RANGE:100-300)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C43692

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述特性：外延平面管芯结构。有互补的NPN类型

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MMBT2907A

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C916373

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 300mW

描述专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。

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MMBT2907A

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C727132

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述特性：外延平面管芯结构。有互补NPN类型（MMBT2222A）

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MMBT2907A-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C106923

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：外延平面管芯结构，适用于低功率放大和开关。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。具备PPAP能力

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MMBT2907AWT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SC-70(SOT-323)

类目: 三极管(BJT)

编号: C232554

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 150mW

描述这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SC-70/SOT-323封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

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MMBT2907A

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C408393

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT2907A

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C305431

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 350mW

描述SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。

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MMBT2907AM3T5G-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-723

类目: 三极管(BJT)

编号: C7434270

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 100mW

描述晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-500mA 功率(Pd)：-100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100-300 PNP 双极晶体管 PNP 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品

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SMMBT2907ALT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C462959

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 225mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT2907A(2F)

品牌: TDSEMIC(拓电半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C49023571

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 225mW

描述大芯片晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 600mA 功率(Pd): 250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：Vce=-10V, Ic=-150mA，hfe 100~300

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50+￥0.0882
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近期成交6单

MMBT2907A

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5184432

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述这款三极管为PNP型，具有0.6A的电流和40V的电压承受能力。其放大倍数介于100-300之间，频率响应可达200MHz。适用于多种电子设备中，实现信号的放大与开关功能，确保电路的稳定运行。

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20+￥0.0882
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3000+￥0.0482
9000+￥0.0426
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现货: 10K

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近期成交5单

MMBT2907A

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C909759

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述耐压:60V 电流:600mA PNP (hFE):300@150mA,10V

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9折

20+￥0.08136
200+￥0.06435
600+￥0.0549
3000+￥0.04482
9000+￥0.03996
30000+￥0.03726

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现货: 7220

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近期成交16单

MMBT2907AT

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-523

类目: 三极管(BJT)

编号: C2992049

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 150mW

描述特性：与NPN类型互补。小封装

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SMT补贴嘉立创库存2955

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20+￥0.1584
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现货: 2940

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近期成交5单

MMBT2907A

品牌: DOWO(东沃)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C22374709

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述PNP -600mA -60V

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50+￥0.0797
500+￥0.0619
3000+￥0.0529
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现货: 11K+

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近期成交2单

MMBT2907AT

品牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-523

类目: 三极管(BJT)

编号: C20623360

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 150mW

描述特性：小封装，与MMBT2222AT互补

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SMT补贴嘉立创库存3000

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8折

20+￥0.14624
200+￥0.11464
600+￥0.09712
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9000+￥0.07752
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近期成交1单

MMBT2907A

品牌: 晶导微电子

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2843521

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述特性：外延平面芯片结构。有互补NPN类型（MMBT2222A）

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SMT补贴嘉立创库存409

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50+￥0.0818
500+￥0.063
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现货: 250

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近期成交8单

MMBT2907A

品牌: Hottech(合科泰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C181122

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述特性：与MMBT2222互补。通用放大器。表面贴装器件

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SMT补贴嘉立创库存467

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50+￥0.0975
500+￥0.0768
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6000+￥0.0573
24000+￥0.0513
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现货: 300

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近期成交19单

MMBT2907A

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C306857

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述特性：外延平面管芯结构。提供互补NPN类型（MMBT2222A）

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SMT补贴嘉立创库存434

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50+￥0.1166
500+￥0.0923
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6000+￥0.0707
24000+￥0.0637
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近期成交15单

MMBT2907A

品牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2898680

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 250mW

描述特性：外延平面管芯结构。有互补NPN类型（MMBT2222A）

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SMT补贴嘉立创库存1925

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9.5折

50+￥0.11932
500+￥0.09424
3000+￥0.07467
6000+￥0.06631
24000+￥0.058995
51000+￥0.0551

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现货: 1900

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近期成交2单

MMBT2907A

品牌: FOSAN(富捷/富信)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2926179

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 225mW

描述放大倍数 100-200 600MA电流

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SMT补贴嘉立创库存5451

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50+￥0.065
500+￥0.0509
3000+￥0.0409
6000+￥0.0363
24000+￥0.0322
51000+￥0.03

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现货: 5350

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近期成交7单

MMBT2907A

品牌: ST(先科)

封装: TO-236-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C2987760

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 350mW

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1255

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50+￥0.0929
500+￥0.0724
3000+￥0.061

现货最快4小时发货

现货: 1250

3000个/托盘

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近期成交9单

MMBT2907A

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C3018511

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 300mW

描述晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：20nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1.6V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V 特征频率（fT）：200MHZ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2069

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