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- 类目
- 三极管(BJT)
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多选 - 封装
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自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述特性：外延平面管芯结构，适用于低功率放大和开关。 互补NPN型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性。 具备PPAP能力
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- 对比
- ￥0.2838
- ￥0.2313
- ￥0.2051
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- 现货
- 31K+
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替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述特性：与MMBT2222A互补。 功率耗散：250mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值温度为260℃
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- 现货
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替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
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8折
- ￥0.07176
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- 现货
- 36K+
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近期成交62单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 150V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- ￥0.038665
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替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述放大倍数 100-200 600MA电流
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- 5350
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替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：20nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1.6V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V 特征频率（fT）：200MHZ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
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- ￥0.06264
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近期成交7单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 250 mW Surface Mount SOT-2
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