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- 类目
- 三极管(BJT)
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自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1451
- ￥0.1129
- ￥0.095
- ￥0.0829
- ￥0.0736
- ￥0.0686
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- 现货
- 274K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.498
- ￥0.4044
- ￥0.3576
现货最快4小时发货
- 现货
- 1820
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交32单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 250 mW Surface Mount SOT-2
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- 对比
9.5折
- ￥0.07714
- ￥0.05909
- ￥0.052535
- ￥0.04655
- ￥0.041325
- ￥0.038475
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- 现货
- 4900
3000个/圆盘
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近期成交2单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述放大倍数 100-200 600MA电流
- 收藏
- 对比
- ￥0.065
- ￥0.0509
- ￥0.0409
- ￥0.0363
- ￥0.0322
- ￥0.03
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- 现货
- 5350
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交7单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：20nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1.6V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V 特征频率（fT）：200MHZ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
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8折
- ￥0.07816
- ￥0.06264
- ￥0.054
- ￥0.04272
- ￥0.03824
- ￥0.03584
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- 现货
- 2040
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交9单
