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- 三极管(BJT)
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型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1292
- ￥0.1022
- ￥0.0872
- ￥0.0771
- ￥0.0693
- ￥0.065
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- 广东仓
- 201K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 250 mW Surface Mount SOT-2
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥0.077805
- ￥0.059755
- ￥0.0532
- ￥0.047215
- ￥0.04199
- ￥0.03914
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- 广东仓
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3000个/圆盘
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总额￥0
近期成交3单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- 对比
- ￥0.4818
- ￥0.3883
- ￥0.3415
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- 广东仓
- 1280
3000个/圆盘
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近期成交26单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述放大倍数 100-200 600MA电流
- 收藏
- 对比
- ￥0.0758
- ￥0.0596
- ￥0.0481
- ￥0.0427
- ￥0.0381
- ￥0.0355
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- 广东仓
- 4500
3000个/圆盘
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总额￥0
近期成交11单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 60V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：20nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1.6V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V 特征频率（fT）：200MHZ 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
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8折
- ￥0.0788
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总额￥0
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