收起筛选
- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- ChipNobo(无边界)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- R+O(宏嘉诚)
- CCX(晁禾)
- DIODES(美台)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 310mW
描述特性:互补PNP类型可用。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
- 收藏
- 对比
- ¥0.1276
- ¥0.1
- ¥0.0846
- ¥0.0754
- ¥0.0674
- ¥0.063
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- 广东仓
- 163K+
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述1.高频共模阻抗高,噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率,可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路;LVDS,用于液体显示面板的面板线,图形卡等
- 收藏
- 对比
9.5折
- ¥0.04617
- ¥0.03534
- ¥0.029355
- ¥0.025745
- ¥0.02375
- ¥0.022135
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- 广东仓
- 6300
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交13单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述hFE:100-300,丝印:1AM
- 收藏
- 对比
- ¥0.0559
- ¥0.0464
- ¥0.0326
- ¥0.0295
- ¥0.0282
- ¥0.0274
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- 广东仓
- 1KK
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交100单+
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
- 收藏
- 对比
9.5折
- ¥0.039045
- ¥0.031825
- ¥0.025365
- ¥0.022895
- ¥0.020805
- ¥0.019665
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- 广东仓
- 236K+
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交100单+
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0393
- ¥0.0307
- ¥0.0259
- ¥0.023
- ¥0.0205
- ¥0.0192
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- 广东仓
- 142K+
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交75单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:与MMBT3906互补
- 收藏
- 对比
- ¥0.0483
- ¥0.0375
- ¥0.0297
- ¥0.0261
- ¥0.0229
- ¥0.0212
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- 广东仓
- 7700
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交13单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
- 收藏
- 对比
9.5折
- ¥0.05548
- ¥0.042655
- ¥0.03686
- ¥0.032585
- ¥0.02888
- ¥0.026885
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- 广东仓
- 1700
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交1单









