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NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904-7-F
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C94514
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
310mW

描述特性:互补PNP类型可用。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

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电流:200mA 电压:40V
MMBT3904-7-F-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42459029
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述1.高频共模阻抗高,噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率,可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路;LVDS,用于液体显示面板的面板线,图形卡等

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替代参考
MMBT3904
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C7420353
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述hFE:100-300,丝印:1AM

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替代参考
NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C727127
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关

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MMBT3904 hFE:100-300 NPN 晶体管 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
CCX(晁禾)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C51953474
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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NPN 电流:0.2A 电压:40V
MMBT3904
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C908260
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:与MMBT3906互补

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电流:200mA 电压:40V
MMBT3904LT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42379421
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-23

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