收起筛选
- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- ChipNobo(无边界)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- R+O(宏嘉诚)
- CCX(晁禾)
- DIODES(美台)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
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- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 310mW
描述特性：互补PNP类型可用。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 收藏
- 对比
- ￥0.1921
- ￥0.1516
- ￥0.1291
- ￥0.1156
- ￥0.1039
- ￥0.0976
现货最快4小时发货
- 现货
- 185K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述1.高频共模阻抗高，噪声抑制性能优良. 2.对于不同的噪声电频和信号频率，可选择20Ω~2000Ω阻抗. 3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路. 4.用于计算机、DVC、机顶盒的IEEE 1394线路；LVDS，用于液体显示面板的面板线，图形卡等
- 收藏
- 对比
- ￥0.0504
- ￥0.039
- ￥0.0326
- ￥0.0288
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- 现货
- 6200
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述hFE:100-300，丝印:1AM
- 收藏
- 对比
- ￥0.0563
- ￥0.0469
- ￥0.0331
- ￥0.03
- ￥0.0287
- ￥0.0278
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- 现货
- 2KK+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
- 收藏
- 对比
- ￥0.0463
- ￥0.0374
- ￥0.0293
- ￥0.0263
- ￥0.0237
- ￥0.0223
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- 现货
- 608K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：与MMBT3906互补
- 收藏
- 对比
- ￥0.0488
- ￥0.038
- ￥0.0301
- ￥0.0265
- ￥0.0234
- ￥0.0217
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- 现货
- 11K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交17单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥0.054435
- ￥0.04161
- ￥0.035815
- ￥0.03154
- ￥0.027835
- ￥0.02584
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- 现货
- 1450
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0393
- ￥0.0307
- ￥0.0259
- ￥0.023
- ￥0.0205
- ￥0.0192
现货最快4小时发货
- 现货
- 3030
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交90单
