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MMBT3904LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C81464
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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NPN 电流:200mA 电压:40V
SMMBT3904LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C84555
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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NPN 电流:0.2A 电压:40V
MMBT3904LT1G
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C7422625
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:与MMBT3906互补

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电流:200mA 电压:40V
SMMBT3904LT1G-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C46682377
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述这款NPN型三极管(BJT)拥有0.2A的集电极电流(IC)和40V的最大集电极-发射极电压(VCEO),适用于多种电子设备中的信号放大与开关应用。其直流电流增益(HFE)在100至300范围内,确保了信号放大的高效性与稳定性。该三极管的特征频率(FT)高达300MHz,使其在高频工作环境下依然表现出色。因其性能可靠,此款三极管非常适合应用于需要高灵敏度和快速响应的消费类电子产品中,如无线通讯模块和便携式音频设备。

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近期成交8单

电流:200mA 电压:40V
MMBT3904LT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42379421
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-23

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近期成交3单

电流:200mA 电压:40V
SMMBT3904LT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C45369249
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW
直流电流增益(hFE)
300

描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-23

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近期成交1单

替代参考
hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41371422
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交100单+

MMBT3904-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
备注
流动库存,请提前询库存
批次
24+25+
立推售价
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库存
9KK

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替代参考
NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C727127
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关

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替代参考
电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
FOSAN(富捷/富信)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2926158
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述放大倍数100-300 200MA电流

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近期成交57单

替代参考
MMBT3904 hFE:100-300 NPN 晶体管 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
CCX(晁禾)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C51953474
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交90单

替代参考
NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904M
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOT-723
类目
三极管(BJT)
编号
C7434274
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
100mW

描述晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A

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