- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- ChipNobo(无边界)
- onsemi(安森美)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- MSKSEMI(美森科)
- FOSAN(富捷/富信)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- MDD(辰达半导体)
- CCX(晁禾)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-723
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0964
- ¥0.0768
- ¥0.0546
- ¥0.0481
- ¥0.0455
- ¥0.0437
- 现货
- 148K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.2447
- ¥0.1959
- ¥0.1688
- ¥0.145
- ¥0.1309
- ¥0.1233
- 现货
- 18K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:与MMBT3906互补
- 收藏
- 对比
- ¥0.06248
- ¥0.04952
- ¥0.04232
- ¥0.038
- ¥0.03424
- ¥0.03216
- 现货
- 28K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款NPN型三极管(BJT)拥有0.2A的集电极电流(IC)和40V的最大集电极-发射极电压(VCEO),适用于多种电子设备中的信号放大与开关应用。其直流电流增益(HFE)在100至300范围内,确保了信号放大的高效性与稳定性。该三极管的特征频率(FT)高达300MHz,使其在高频工作环境下依然表现出色。因其性能可靠,此款三极管非常适合应用于需要高灵敏度和快速响应的消费类电子产品中,如无线通讯模块和便携式音频设备。
- 收藏
- 对比
- ¥0.125736
- ¥0.098673
- ¥0.083607
- ¥0.074493
- ¥0.066681
- ¥0.062496
- 现货
- 460
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交8单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
- 收藏
- 对比
- ¥0.0573
- ¥0.0438
- ¥0.0377
- 现货
- 1400
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交3单
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 300
描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-23
- 收藏
- 对比
- ¥0.068495
- ¥0.05339
- ¥0.044935
- ¥0.0399
- ¥0.03553
- ¥0.033155
- 现货
- 3050
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交1单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0449
- ¥0.0369
- ¥0.0325
- ¥0.0276
- ¥0.0253
- ¥0.024
- 现货
- 883K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
- 收藏
- 对比
- ¥0.0463
- ¥0.0374
- ¥0.0293
- ¥0.0263
- ¥0.0237
- ¥0.0223
- 现货
- 493K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述放大倍数100-300 200MA电流
- 收藏
- 对比
- ¥0.0389
- ¥0.0297
- ¥0.0266
- ¥0.0236
- ¥0.0209
- ¥0.0195
- 现货
- 86K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交57单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.037335
- ¥0.029165
- ¥0.024605
- ¥0.02185
- ¥0.019475
- ¥0.01824
- 现货
- 13K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交90单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
描述晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A
- 收藏
- 对比
- ¥0.1505
- ¥0.1181
- ¥0.1001
- ¥0.0893
- ¥0.077
- ¥0.0719
- 现货
- 2100
8000个/圆盘
总额¥0
近期成交8单












