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型号/品牌/封装/类目
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP开关晶体管。
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9.7折
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- ￥0.2419
- ￥0.2126
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- 广东仓
- 7810
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交29单
描述晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：300@10mA,1V
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- ￥0.0285
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- ￥0.0274
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- 2850
3000个/圆盘
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总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：互补型：推荐使用NPN晶体管MMBT3904。 外延平面芯片结构
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- 对比
9折
- ￥0.0333
- ￥0.02646
- ￥0.02088
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- 233K+
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近期成交100单+
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计，是小型电子设备的理想半导体元件。
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8.5折
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- 151K+
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近期成交48单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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9.5折
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