收起筛选
- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- ChipNobo(无边界)
- TWGMC(迪嘉)
- R+O(宏嘉诚)
- CCX(晁禾)
- DIODES(美台)
多选 - 封装
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综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述特性：外延平面管芯结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备PPAP能力
- 收藏
- 对比
- ￥0.1699
- ￥0.1366
- ￥0.118
- ￥0.1069
- ￥0.0972
- ￥0.092
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- 现货
- 47K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述1.体积小，可靠性高。 2.质量高，交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥0.04788
- ￥0.03705
- ￥0.03097
- ￥0.02736
- ￥0.02546
- ￥0.02375
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- 现货
- 4200
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：与MMBT3904互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃
- 收藏
- 对比
- ￥0.0592
- ￥0.0498
- ￥0.0389
- ￥0.0357
- ￥0.033
- ￥0.0315
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- 现货
- 457K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：互补型：推荐使用NPN晶体管MMBT3904。 外延平面芯片结构
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- 对比
9.5折
- ￥0.04009
- ￥0.031825
- ￥0.024985
- ￥0.022325
- ￥0.01995
- ￥0.01862
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- 现货
- 389K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- 对比
- ￥0.0388
- ￥0.0301
- ￥0.0253
- ￥0.0225
- ￥0.02
- ￥0.0186
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- 现货
- 162K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交34单
替代参考
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
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- 对比
9.5折
- ￥0.048165
- ￥0.037145
- ￥0.03211
- ￥0.028405
- ￥0.02527
- ￥0.02356
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- 现货
- 12K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
