SMMBT3906LT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C232578

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

225mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

MMBT3906LT1G-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C42379422

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

200mW

描述Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 300MHz 200 mW Surface Mount SOT-23

SMMBT3906LT1G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C46682393

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

250mW

描述此款PNP三极管（BJT）具有0.2A的集电极电流(IC)能力，适用于需要中低电流操作的电路设计。其集电极-发射极电压(VCEO)最大可达40V，能够满足大多数通用电子设备的需求。该型号的直流电流增益(HFE)范围是100至300，确保了信号放大过程中的稳定性能。此外，它拥有高达300MHz的过渡频率(FT)，使其在高频应用中表现出色，适合于快速信号处理和通信设备中，有助于提升设备的整体响应速度与效率，适用于如无线通讯模块和高性能音频系统等应用场景。

RoHSSMT扩展库

MMBT3906

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C727128

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

200mW

描述特性：互补型：推荐使用NPN晶体管MMBT3904。 外延平面芯片结构

RoHSSMT扩展库

MMBT3906

品牌

FOSAN(富捷/富信)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C2926159

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述放大倍数100-300 200MA电流

RoHSSMT扩展库

MMBT3906

品牌

CCX(晁禾)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C51953475

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

200mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

SMT扩展库

MMBT3906

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C2984759

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

200mW

描述特性：互补类型，采用推荐的外延平面管芯结构。标记：2A

SMT扩展库

MMBT3906M

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-723

类目

三极管(BJT)

编号

C7434275

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

100mW

描述晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 100~300 PNP 40V 0.2A

SMT扩展库