MMBT4401LT1G_MMBT4401LT1G采购信息-立创电子元器件商城

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- 三极管(BJT)
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MMBT4401LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C31776

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 225mW

描述特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用

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SMMBT4401LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C231273

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 225mW

描述特性：S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准

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SMMBT4401LT1G-HXY

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C46682407

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述此款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流（IC）和40V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于需要中等功率处理能力的设计。其直流电流增益（HFE）在200至450之间，表明了它在放大信号方面的高效性。此外，这款三极管拥有高达250MHz的过渡频率（FT），使其在高频应用中表现出色。该产品适合应用于无线通信设备、音频处理以及各种需要高效率信号放大和切换的电子模块中。其性能参数确保了在不同应用场景下的稳定性和可靠性。

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