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- 类目
- 三极管(BJT)
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自营结果数8
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参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。 通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述此款NPN型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流（IC）和40V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），适用于需要中等功率处理能力的设计。其直流电流增益（HFE）在200至450之间，表明了它在放大信号方面的高效性。此外，这款三极管拥有高达250MHz的过渡频率（FT），使其在高频应用中表现出色。该产品适合应用于无线通信设备、音频处理以及各种需要高效率信号放大和切换的电子模块中。其性能参数确保了在不同应用场景下的稳定性和可靠性。
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8.8折
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述特性：S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准
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近期成交23单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述1.体积小，可靠性高。 2.质量高，交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型。 适用于中功率放大和开关
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近期成交83单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述专为中等电压、中等电流环境下的线性和开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述放大倍数 100-200 600MA电流
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近期成交4单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：开关晶体管
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- 现货
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3000个/圆盘
个
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近期成交17单
