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- 三极管(BJT)
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MMBT4403LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C78864

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 225mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT4403

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069140

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:100-300，丝印:2T

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MMBT4403

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C8513

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述丝印2T

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MMBT4403

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C727134

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：外延平面芯片结构。有互补的NPN类型。适用于中功率放大和开关

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MMBT4403-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C85183

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 310mW

描述特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保产品

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MMBT4403

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C408395

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT4403

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C53340902

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

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MMBT4403

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2943750

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述耐压:40V 电流:600mA PNP (hFE):300@150mA,2V

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MMBT4403

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20416656

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：VCE = -40V。 IC = -0.6A。 fT = 200MHz @ VCE = -10V, IC = -20mA, f = 100MHz。集电极电流高达 600mA。适用于通用放大器和开关

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MMBT4403 2T

品牌: TDSEMIC(拓电半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C46956350

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT4403LT3G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C154584

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT4403

品牌: Hottech(合科泰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C181124

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：与MMBT4401互补。开关晶体管。表面贴装器件

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近期成交9单

MMBT4403

品牌: UMW(友台半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C545532

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：开关晶体管

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近期成交9单

MMBT4403

品牌: Slkor(萨科微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C609803

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：外延平面管芯结构。有互补NPN型（MMBT4401）。也有无铅版本。适用于中功率放大和开关。应用：适用于中功率放大和开关

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SMT补贴嘉立创库存2227

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50+￥0.0938
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MMBT4403

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C916377

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述专为中等电压、大电流环境下的高增益放大及开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。

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SMT补贴嘉立创库存1473

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6000+￥0.04845
24000+￥0.043095
45000+￥0.04029

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MMBT4403

品牌: FOSAN(富捷/富信)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2926181

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述放大倍数 100-200 600MA电流

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SMT补贴嘉立创库存7641

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24000+￥0.0407
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现货: 7600

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近期成交7单

MMBT4403

品牌: YONGYUTAI(永裕泰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2891813

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：与MMBT4401互补。集电极电流：IC = 0.6A。开关晶体管

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SMT补贴嘉立创库存2956

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MMBT4403

品牌: 晶导微电子

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C3027195

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：开关晶体管

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MMBT4403 2T

品牌: JUXING(钜兴)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5365525

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：开关晶体管

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SMT补贴嘉立创库存5028

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近期成交4单

MMBT4403

品牌: XZT(信展通)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5805822

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：外延平面管芯结构。开关晶体管

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近期成交2单

MMBT4403

品牌: ST(先科)

封装: TO-236

类目: 三极管(BJT)

编号: C85079

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

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SMT补贴嘉立创库存450

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近期成交9单

MMBT4403

品牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C3013774

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：非常适合中功率放大和开关。有互补的NPN类型

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SMT补贴嘉立创库存2069

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近期成交2单

MMBT4403

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C3018504

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：400mV@150mA,15mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@150mA,2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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SMT补贴嘉立创库存761

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