MMBT4403LT1G

品牌

RUILON(瑞隆源)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C53413272

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述PNP通用放大晶体管 40V 低饱和压降

SMT扩展库

MMBT4403LT1G-CN

品牌

ChipNobo(无边界)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C42459036

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述1.体积小，可靠性高。 2.质量高，交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子

SMMBT4403LT1G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C231272

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMMBT4403LT1G-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C46682412

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述此款PNP型三极管（BJT）适用于多种电子设备中，具备0.6A的集电极电流(IC)能力，以及高达40V的集电极-发射极电压(VCEO)，确保了在不同电路中的稳定表现。其直流电流增益(HFE)范围为100至300，能够有效放大信号，而200MHz的过渡频率(FT)则表明它在高频应用中同样表现出色。该三极管非常适合用于需要高灵敏度和快速响应的电路设计，如无线通信模块或音频处理装置，提供了可靠性能与灵活性。

RoHSSMT扩展库

MMBT4403

品牌

FOSAN(富捷/富信)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C2926181

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述放大倍数 100-200 600MA电流

RoHSSMT扩展库

MMBT4403

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

三极管(BJT)

编号

C3018504

晶体管类型

PNP

集电极电流(Ic)

600mA

集射极击穿电压(Vceo)

40V

耗散功率(Pd)

300mW

描述晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：400mV@150mA,15mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@150mA,2V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SMT扩展库