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MMBT5401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C21488
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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PNP 电流:500mA 电压:150V
SMMBT5401LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C231274
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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PNP 电流:600mA 电压:150V
MMBT5401LT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42379419
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23

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替代参考
电流:500mA 电压:150V
MMBT5401
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C916371
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
225mW

描述适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。

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MMBT5401
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
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替代参考
PNP开关晶体管
2N5401S
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C7202978
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级为1级

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替代参考
PNP 电流:0.6A 电压:150V
MMBT5401
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C727130
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关

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替代参考
PNP 电流:600mA 电压:160V
MMBT5401
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C7202977
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:环氧树脂符合UL-94 V-0易燃性等级。 湿度敏感性等级为1级

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替代参考
PNP 电流:500mA 电压:150V
MMBT5401
品牌
FOSAN(富捷/富信)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2926170
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述放大倍数100-200 600MA电流

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PNP 电流:0.6A 电压:150V
MMBT5401
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2934843
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1806
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9
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