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- 类目
- 三极管(BJT)
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- onsemi(安森美)
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- TWGMC(迪嘉)
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多选 - 封装
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自营结果数9
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- ￥0.1432
- ￥0.1162
- ￥0.0798
- ￥0.0708
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- ￥0.0648
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- 现货
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近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
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- ￥0.3049
- ￥0.2429
- ￥0.2119
- ￥0.1886
- ￥0.17
- ￥0.1607
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23
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- ￥0.0807
- ￥0.0618
- ￥0.055
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- 现货
- 600
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近期成交10单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计，是电子设备和工业控制的理想半导体器件。
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9折
- ￥0.05004
- ￥0.03906
- ￥0.03357
- ￥0.02988
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- 对比
- ￥0.0655
- ￥0.0539
- ￥0.0474
- ￥0.0402
- ￥0.0369
- ￥0.035
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：与MMBT5401互补。 适用于中功率放大和开关
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- 对比
- ￥0.0713
- ￥0.0562
- ￥0.0437
- ￥0.0387
- ￥0.0343
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- 135K+
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 120V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- ￥0.0379
- ￥0.0329
- ￥0.0302
- ￥0.0285
- ￥0.0271
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述放大倍数100-200 600MA电流
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- ￥0.0692
- ￥0.0541
- ￥0.0457
- ￥0.0406
- ￥0.0363
- ￥0.0339
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3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 160V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：与MMBT5401互补。 适用于中功率放大和开关
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8折
- ￥0.06152
- ￥0.04856
- ￥0.04136
- ￥0.03704
- ￥0.03328
- ￥0.0312
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- 4700
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近期成交9单
