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- 三极管(BJT)
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- onsemi(安森美)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
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NPN 电流:600mA 电压:160V

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C41095

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+￥0.1518
200+￥0.1209
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NPN 电流:600mA 电压:160V

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C152538

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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10+￥0.2854
100+￥0.2231
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3000+￥0.1685
6000+￥0.1498
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电流:600mA 电压:160V

MMBT5551LT1G-CN

品牌: ChipNobo(无边界)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C42379420

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 300 mW Surface Mount SOT-23

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50+￥0.0807
500+￥0.0618
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NPN 电流:0.6A 电压:160V

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C41371418

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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10+￥0.0655
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6000+￥0.0369
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电流:600mA 电压:160V

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C916370

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 250mW

描述适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计，是电子设备和工业控制的理想半导体器件。

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现货: 742K+

在途: 498K

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品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

备注: 流动库存，下单前请确认！

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库存: 3KK

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G1 H档200-300 NPN 电流:0.6A 电压:160V

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C727129

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：与MMBT5401互补。适用于中功率放大和开关

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3000+￥0.041515
6000+￥0.03667
24000+￥0.032585
51000+￥0.030305

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MMBT5551 hFE:100-300 NPN 晶体管电流：600mA 电压：120V

品牌: CCX(晁禾)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C51953467

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 120V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

SMT扩展库

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9.5折

10+￥0.05605
100+￥0.043795
300+￥0.036955
3000+￥0.032775
6000+￥0.02926
9000+￥0.02736

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NPN 电流:600mA 电压:160V

品牌: FOSAN(富捷/富信)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2926169

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述放大倍数100-200 600MA电流

RoHSSMT扩展库

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3000+￥0.03656
6000+￥0.03248
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(L档) NPN 电流:600mA 电压:160V

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C908261

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：与MMBT5401互补。适用于中功率放大和开关

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2515

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对比

8折

50+￥0.06152
500+￥0.04856
3000+￥0.04136
6000+￥0.03704
24000+￥0.03328
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现货: 2450

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