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- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- onsemi(安森美)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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多选 - 封装
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- 认证信息
综合排序
价格
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销量
价格/库存筛选
自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1989
- ¥0.1564
- ¥0.1328
- ¥0.1082
- ¥0.0959
- ¥0.0893
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 79K+
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述这款NPN型三极管,额定集电极电流500mA,适合中等电流应用。其集射极击穿电压高达80V,确保了在较高电压环境下的稳定工作性能。功率损耗仅225mW,意味着更低热输出,提升了器件在紧凑设计中的适用性。适用于各类音频放大、线路驱动及通用开关电路,是追求高效与可靠性的电子项目理想组件。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1398
- ¥0.1085
- ¥0.0911
- ¥0.0807
- ¥0.0716
- ¥0.0667
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- 广东仓
- 5040
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交12单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述1.体积小,可靠性高。 2.质量高,交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子
- 收藏
- 对比
- ¥0.1469
- ¥0.1128
- ¥0.0938
- ¥0.0824
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3040
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交2单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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- 对比
- ¥0.5938
- ¥0.5813
- ¥0.5729
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 140
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交12单
替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性:适用于开关和放大器应用。互补型PNP晶体管MMBTA56
- 收藏
- 对比
- ¥0.1893
- ¥0.1488
- ¥0.1263
- ¥0.1128
- ¥0.1011
- ¥0.0948
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 520
3000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交12单






