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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- 对比
- ￥0.2527
- ￥0.1987
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- ￥0.1374
- ￥0.1218
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述这款NPN型三极管，额定集电极电流500mA，适合中等电流应用。其集射极击穿电压高达80V，确保了在较高电压环境下的稳定工作性能。功率损耗仅225mW，意味着更低热输出，提升了器件在紧凑设计中的适用性。适用于各类音频放大、线路驱动及通用开关电路，是追求高效与可靠性的电子项目理想组件。
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9.3折
- ￥0.134664
- ￥0.105555
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- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述1.体积小，可靠性高。 2.质量高，交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子
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替代参考
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性：适用于开关和放大器应用。互补型PNP晶体管MMBTA56
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- ￥0.1313
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