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NPN 电流:500mA 电压:300V
MMBTA42LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C94389
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
225mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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3000/圆盘

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近期成交100单+

NPN 电流:0.5A 电压:300V
S-MMBTA42LT1G
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42374827
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
350mW

描述高稳定性和可靠性。

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  • 对比
9
  • 0.10359
  • 0.08172
  • 0.07083
  • 0.06354
  • 0.05715
  • 0.05373
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3000/圆盘

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近期成交4单

电流:300mA 电压:300V
MMBTA42LT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42459039
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
350mW

描述1.体积小,可靠性高。 2.质量高,交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子

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  • 0.0546
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3000/圆盘

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近期成交5单

NPN 电流:500mA 电压:300V
SMMBTA42LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C462960
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
225mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交23单

替代参考
电流:500mA 电压:200V
MMBTA42
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C916394
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
200V
耗散功率(Pd)
350mW

描述专为高压、低至中等电流应用设计,是进行开关电路及精密放大器设计的理想半导体组件

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8
  • 0.07512
  • 0.05872
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替代参考
电流:500mA 电压:300V
MMBTA42
品牌
FOSAN(富捷/富信)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2926182
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
300mW

描述放大倍数100-200 300V电压

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近期成交7单

替代参考
NPN 电流:300mA 电压:300V
MMBTA42
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C908262
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
350mW

描述特性:高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 与MMBTA92(PNP)互补

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9
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3000/圆盘

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近期成交2单