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PNP 电流:500mA 电压:300V
MMBTA92LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C82049
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
225mW

描述此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交100单+

电流:200mA 电压:300V
MMBTA92LT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42459040
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
300mW

描述1.体积小,可靠性高。 2.质量高,交货敏捷 3.AEC-Q200验证 4.应用于汽车电子

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近期成交4单

PNP 电流:500mA 电压:300V
SMMBTA92LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C3014200
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
225mW

描述此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交2单

替代参考
电流:500mA 电压:300V
MMBTA92
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C916395
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
300mW

描述适合于高电压、低至中等电流应用环境下的精密放大及开关电路设计,是您高压电子设备项目的优选组件。

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近期成交69单

替代参考
PNP 电流:200mA 电压:300V
MMBTA92
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C908263
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:高集电极电流。 与MMBTA42互补

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近期成交10单

替代参考
电流:500mA 电压:300V
MMBTA92
品牌
FOSAN(富捷/富信)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2926183
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
300V
耗散功率(Pd)
300mW

描述放大倍数100-200 300V电压

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