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双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3051M
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C8964
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
输出电流(It(rms))
100mA

描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些器件将来自 115 V

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近期成交3单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3051M(UMW)
品牌
UMW(友台半导体)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C2842963
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.5V
输出电流(It(rms))
100mA

描述UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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近期成交5单

光耦-可控硅光耦
MOC3051M
品牌
AOTE(奥特)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C20612612
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
输出电流(It(rms))
100mA

描述MOC3051M是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

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近期成交3单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3052SR2M
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMD-6P
类目
可控硅输出光耦
编号
C19864
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
输出电流(It(rms))
100mA

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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1000/圆盘

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近期成交28单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3052M
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C8965
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.5V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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近期成交34单

双向可控硅
MOC3053S
品牌
国芯佳品
封装
SMD
类目
可控硅输出光耦
编号
C7472390
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.23V
输出电流(It(rms))
100mA

描述静态dv/dt:1000V/us 三路驱动器光耦合器,随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻

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1000/圆盘

总额0

近期成交8单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3051SR2VM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMD-6P
类目
可控硅输出光耦
编号
C184543
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些器件将来自 115 V

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1000/圆盘

总额0

近期成交5单

双向可控硅
MOC3052S
品牌
国芯佳品
封装
SMD
类目
可控硅输出光耦
编号
C7472389
可控硅类型
双向可控硅
正向压降(Vf)
1.18V
输出电流(It(rms))
100mA
隔离电压(Vrms)
5kV

描述静态dv/dt:1000V/us 三路驱动器光耦合器,随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻

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265

1000/圆盘

总额0

近期成交7单

双向可控硅
MOC3051S
品牌
国芯佳品
封装
SMD
类目
可控硅输出光耦
编号
C7472388
可控硅类型
双向可控硅
正向压降(Vf)
1.23V
输出电流(It(rms))
100mA
隔离电压(Vrms)
5kV

描述静态dv/dt:1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动器光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些

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1000/圆盘

总额0

近期成交4单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3052SR2VM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMD-6P
类目
可控硅输出光耦
编号
C899825
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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1000/圆盘

总额0

近期成交6单

双向可控硅
MOC3053D
品牌
国芯佳品
封装
DIP
类目
可控硅输出光耦
编号
C7472404
可控硅类型
双向可控硅
正向压降(Vf)
1.23V
输出电流(It(rms))
100mA
隔离电压(Vrms)
5kV

描述静态dv/dt:1000V/us 三路驱动器光耦合器,随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻

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245

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近期成交1单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3052SM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOP-6-2.54mm
类目
可控硅输出光耦
编号
C899824
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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16

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总额0

近期成交1单

双向可控硅 1
MOC3051D
品牌
国芯佳品
封装
DIP
类目
可控硅输出光耦
编号
C7472403
可控硅类型
双向可控硅
正向压降(Vf)
1.18V
输出电流(It(rms))
100mA
隔离电压(Vrms)
5kV

描述静态dv/dt:1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动器光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些

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135

65/

总额0

近期成交15单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3052SVM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMD-6P
类目
可控硅输出光耦
编号
C899826
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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414

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总额0

近期成交6单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3052TVM
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C899827
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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52

50/

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近期成交3单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3052VM
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C899828
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.5V
输出电流(It(rms))
1A

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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3.7折起
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17

1000/

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近期成交2单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3053SM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMD-6P
类目
可控硅输出光耦
编号
C899829
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.5V
输出电流(It(rms))
1A

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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65

1000/

总额0

近期成交4单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3053M
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C603333
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

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SMT补贴嘉立创库存50
私有库下单最高享92折
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50/

总额0

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3051SR2M
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMD-6P
类目
可控硅输出光耦
编号
C899821
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些器件将来自 115 V

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20

1000/圆盘

总额0

近期成交1单

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3051SM
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMD-6P
类目
可控硅输出光耦
编号
C899820
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些器件将来自 115 V

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订货85-87个工作日
库存
350K
增量
1000
最小包装
1000个

总额0

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3051VM
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C899823
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些器件将来自 115 V

RoHS

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  • 对比
  • 1.98168
订货55-57个工作日
库存
350K
增量
1000
最小包装
1000个

总额0

双向可控硅 无过零电路 1通道
MOC3051TVM
品牌
onsemi(安森美)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C899822
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管,该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关(三端双向可控硅开关)。 这些器件将来自 115 V

RoHS

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  • 1.98168
订货55-57个工作日
库存
350K
增量
1000
最小包装
1000个

总额0

MOC3053SR2M
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMD-6P
类目
可控硅输出光耦
编号
C899830
可控硅类型
双向可控硅
过零功能
正向压降(Vf)
1.18V
隔离电压(Vrms)
4.17kV

描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关(三路器件)进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离,可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能,可确保电感负载的稳定开关性能。

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 1.69
  • 1.66
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1000/圆盘

总额0

替代参考
HT3051
HT-3051
品牌
Hengtuo(恒拓电子)
封装
DIP-6
类目
可控硅输出光耦
编号
C34376219
过零功能
正向压降(Vf)
1.2V
输出电流(It(rms))
100mA
隔离电压(Vrms)
5kV

描述可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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