- 类目
- 可控硅输出光耦
- 品牌
- onsemi(安森美)
- 国芯佳品
- UMW(友台半导体)
- AOTE(奥特)
- Hengtuo(恒拓电子)
多选 - 封装
- DIP-6
- SMD-6P
- SMD
- DIP
- SOP-6-2.54mm
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- 包装
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参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些器件将来自 115 V
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50个/管
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近期成交3单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.5V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
描述UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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- ￥0.7688
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65个/管
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近期成交5单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
描述MOC3051M是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。 广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。
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- ￥0.85347
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近期成交5单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
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- 1.5V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
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50个/管
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近期成交38单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些器件将来自 115 V
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1000个/圆盘
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近期成交7单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
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- ￥4.2
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1000个/圆盘
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近期成交31单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
描述静态dv/dt：1000V/us 三路驱动器光耦合器，随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻
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- ￥0.9073
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1000个/圆盘
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近期成交7单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.23V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
描述静态dv/dt：1000V/us 三路驱动器光耦合器，随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻
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1000个/圆盘
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近期成交8单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
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- 513
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 正向压降(Vf)
- 1.23V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
描述静态dv/dt：1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动器光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些
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1000个/圆盘
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近期成交8单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 正向压降(Vf)
- 1.23V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
描述静态dv/dt：1000V/us 三路驱动器光耦合器，随机相 MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻
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- 对比
- ￥0.9073
- ￥0.7172
- ￥0.6222
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65个/管
总额￥0
近期成交1单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
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- 对比
- ￥3.91
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- ￥2.77
- ￥2.39
- 广东仓
- 477
50个/管
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近期成交8单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
描述静态dv/dt：1000V/us 随机相位三端双向可控硅开关驱动器光耦合器 MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些
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- ￥0.9073
- ￥0.7172
- ￥0.6222
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- 145
65个/管
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近期成交15单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.5V
- 输出电流(It(rms))
- 1A
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
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- 对比
- ￥7.83
- ￥6.53
- ￥5.82
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- 70
1000个/管
总额￥0
近期成交3单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥7.86
- ￥6.56
- ￥5.85
- 广东仓
- 52
50个/管
总额￥0
近期成交3单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥9.78
- ￥8.16
- ￥7.27
- 广东仓
- 50
50个/管
总额￥0
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥10.65
- ￥9.09
- ￥8.11
- 广东仓
- 16
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些器件将来自 115 V
- 收藏
- 对比
- ￥7.81
- ￥7.63
- ￥7.51
- 广东仓
- 20
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.5V
- 输出电流(It(rms))
- 1A
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥11.44
- ￥9.76
- ￥8.71
- 广东仓
- 17
1000个/管
总额￥0
近期成交4单
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些器件将来自 115 V
RoHS
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- ￥1.833054
- ￥1.81654
- ￥1.783512
- 库存
- 350K
- 增量
- 1000
- 最小包装
- 1000个
总额￥0
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些器件将来自 115 V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥1.833054
- ￥1.81654
- ￥1.783512
- 库存
- 350K
- 增量
- 1000
- 最小包装
- 1000个
总额￥0
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些器件将来自 115 V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥1.833054
- ￥1.81654
- ￥1.783512
- 库存
- 350K
- 增量
- 1000
- 最小包装
- 1000个
总额￥0
- 可控硅类型
- 双向可控硅
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.18V
- 隔离电压(Vrms)
- 4.17kV
描述MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
RoHSSMT扩展库
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- 对比
- ￥4.53
- ￥1.76
- ￥1.69
- ￥1.66
- 广东仓
- 0
1000个/圆盘
总额￥0
- 过零功能
- 无
- 正向压降(Vf)
- 1.2V
- 输出电流(It(rms))
- 100mA
- 隔离电压(Vrms)
- 5kV
描述可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
- 收藏
- 对比
- ￥0.454385
- ￥0.44384
- ￥0.43681
- ￥0.42978
- 广东仓
- 50
65个/管
总额￥0
近期成交1单
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