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工业品面板定制

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- 三极管(BJT)
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- ST(先科)
- Central(中环)
- CJ(江苏长电/长晶)
- onsemi(安森美)
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双极小信号晶体管 NPN 电流:500mA 电压:300V

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C719821

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 625mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 TO-92 封装。

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近期成交30单

hfe=40~ NPN 电流:500mA 电压:300V

品牌: ST(先科)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C118557

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 625mW

描述用于高压开关和放大器应用。建议搭配互补型PNP晶体管使用。

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近期成交18单

TO-92塑封封装NPN半导体三极管 NPN 电流:500mA 电压:300V

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C305411

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 1.5W

描述TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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近期成交19单

NPN 电流:200mA 电压:305V

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C19269178

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 305V

耗散功率(Pd): 625mW

描述特性：高电压

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近期成交5单

NPN 电流:0.3A 电压:300V

品牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C45662265

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述高击穿电压、低集电极-发射极饱和电压

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1000+￥0.193325
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10000+￥0.166725

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近期成交14单

NPN 电流:200mA 电压:305V

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-92-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C2991971

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 305V

耗散功率(Pd): 625mW

描述特性：高电压

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20+￥0.2321
200+￥0.1808
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NPN晶体管

品牌: CBI(创基)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C5362126

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。与MPSA92U（PNP）互补

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10+￥0.4683
100+￥0.3723
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1000+￥0.2783
5000+￥0.2495
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近期成交4单

NPN硅晶体管，与特定型号互补

品牌: DDF(鼎德丰)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C50229537

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 500mW；625mW

描述晶体管类型：NPN。集电极电流ICM:500MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:300V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:300V 直流电流增益HFE:100-200

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10000+￥0.07498
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近期成交3单

NPN 电流:500mA 电压:300V

品牌: KEC

封装: TO-92-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C125316

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 625mW

描述特性：与MPSA92/93互补。应用：高压应用。电话应用

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NPN硅高压晶体管

品牌: UTC(友顺)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C7509662

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 625mW

描述是高电压晶体管，设计用于电话开关和高压开关。

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20+￥0.4973
200+￥0.3785
1000+￥0.3125
2000+￥0.2729
10000+￥0.2385
20000+￥0.22

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近期成交6单

NPN 500mA 300V

品牌: EIC

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C2978815

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 625mW

描述用于高压开关和放大器应用。建议搭配互补型PNP晶体管MPSA 92和MPSA 93使用。

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1+￥0.7184
10+￥0.5676
30+￥0.4922
100+￥0.4356
500+￥0.3904
1000+￥0.3677

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近期成交2单

MPSA42 TIN/LEAD

MPSA42 TIN/LEAD

品牌: Central(中环)

封装: TO-92-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C7304664

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 625mW

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200+￥0.9186
500+￥0.8879
1000+￥0.8728

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CP310-MPSA42-CT20

CP310-MPSA42-CT20

品牌: Central(中环)

封装: -

类目: 三极管(BJT)

编号: C5628117

晶体管类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 300V

集电极截止电流(Icbo): 100nA

RoHS

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1+￥780.05
200+￥311.25
500+￥300.85
1000+￥295.71

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MPSA42RA

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-92-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C3201746

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 625mW

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对比

hfe=25~ PNP 电流:500mA 电压:300V

品牌: ST(先科)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C118558

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 625mW

描述PNP 硅外延平面晶体管，适用于高压开关和放大器应用。推荐使用 NPN 晶体管 MPSA42 和 MPSA43 作为互补类型。

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20+￥0.2404
200+￥0.1879
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10000+￥0.1219
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