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正向过电压保护控制器,内置低导通电阻NMOS FET
NCP349MNAETBG
品牌
onsemi(安森美)
封装
DFN-6-EP(1.6x2)
类目
功率电子开关
编号
C233712
输入控制逻辑
低电平有效
工作电压
1.2V~28V
导通电阻
65mΩ
功能特性
过压保护;欠压锁定;集成电荷泵;软启动

描述NCP349能够在检测到错误的输入工作条件时从其输出引脚断开系统。该系统正向过压保护可达28V。此设备使用内部NMOS,因此不需要外部设备,从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。由于集成了低导通电阻功率NMOS(65 mΩ),当输入电压超过过压阈值(OVLO)或低于欠压阈值(UVLO)时,NCP349能够瞬间断开输出与输入之间的连接。在上电时(EN引脚=低电平),当Vin超过欠压阈值后ton时间内Vout开启。NCP349提供一个下降沿标志(FLAG)输出,用以通知系统发生了故障。此外,当使用1.0 µF或更大的电容旁路时,该设备具有ESD保护输入(15 kV空气放电)。

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