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自营结果数6
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 180mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
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- ￥0.6343
- ￥0.4792
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- 现货
- 3710
3000个/圆盘
个
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近期成交31单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 200mΩ@4.5V
描述NDS0605 P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度电路设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的导通电阻下，提供稳定的2A漏极电流(ID)。适用于电池保护、电源切换、负载驱动等各种应用场景，这款MOS管凭借其优异的高压承载能力和高效能电流控制性能，成为您提升电路可靠性和效率的理想半导体元件。
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8.8折
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- ￥0.136488
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- 现货
- 420
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 500mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
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3000个/圆盘
个
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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 500mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.7Ω@10V
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替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.2Ω@10V；4.5Ω@4.5V
描述小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-0.13A, Rdson：4200mR
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3000个/圆盘
个
总额￥0
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