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参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 120mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 10Ω@10V
描述此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0610 可用于最高要求 120mA DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
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- 对比
- ￥0.5612
- ￥0.4572
- ￥0.4053
- ￥0.3663
- ￥0.2971
- ￥0.2816
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- 现货
- 5615
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个
总额￥0
近期成交31单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 500mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.7Ω@10V
描述应用：电话机中的线路电流中断器。 高速和线路变压器驱动器
- 收藏
- 对比
- ￥0.4367
- ￥0.3407
- ￥0.2927
- ￥0.2567
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- 现货
- 1330
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 200mΩ@4.5V
描述NDS0610 P沟道MOSFET采用流行的SOT-23封装形式，针对空间受限和高效率电路设计。该器件具有60V的漏源击穿电压(VDSS)，能在160mR(RD(on))的低导通电阻下，稳定地处理2A的漏极电流(ID)。适用于电池保护、电源切换和负载驱动等应用场合，这款MOS管以强大的电压承载能力和精确的电流控制优势，助力提升您的电路性能与可靠性。
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7.5折
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近期成交6单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.2Ω@10V；4.5Ω@4.5V
描述小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-0.13A, Rdson：4200mR
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3000个/圆盘
个
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近期成交38单
