NDS331N

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5123903

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

5.5A

导通电阻(RDS(on))

25mΩ@4.5V

描述应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

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NDS331N-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C21713832

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

4A

导通电阻(RDS(on))

25mΩ@4.5V；29mΩ@2.5V

描述N沟道,20V,4.0A,,23.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

RoHSSMT扩展库

NDS331N-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C39846922

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

28mΩ@3.3V

描述N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。

RoHS

NDS331N-NL-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558202

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

22mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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NDS331N-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6285732

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2.3A

导通电阻(RDS(on))

55mΩ@4.5V

描述该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达2.3A。器件具备低导通电阻和卓越开关性能，广泛应用在充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率控制与管理。

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TPM2103NE4KS3

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42436634

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

25V

连续漏极电流(Id)

900mA

导通电阻(RDS(on))

1.05Ω@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

RoHS

FS2302A

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C784616

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2.6A

导通电阻(RDS(on))

85mΩ@4.5V

描述特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

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