- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- TECH PUBLIC(台舟)
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- KUU
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
- onsemi(安森美)
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- SOT-23(TO-236)
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- 包装
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- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 160mΩ@4.5V
描述此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。
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- 对比
- ￥0.9838
- ￥0.7765
- ￥0.6876
- ￥0.5768
- ￥0.5274
- ￥0.4978
- 广东仓
- 2955
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@4.5V
描述应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
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- 对比
- ￥0.3488
- ￥0.3027
- ￥0.2797
- ￥0.2625
- ￥0.2311
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- 广东仓
- 22K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@4.5V；29mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,4.0A,,23.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- ￥0.1051
- ￥0.0819
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- 4850
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 28mΩ@3.3V
描述N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。
RoHS
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- ￥0.1988
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- ￥0.19112
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- 3240
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@4.5V
描述特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
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- 对比
- ￥0.3073
- ￥0.2463
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- ￥0.177
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- ￥0.1495
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- 930
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
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- ￥0.31578
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- 540
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@4.5V
描述该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达2.3A。器件具备低导通电阻和卓越开关性能，广泛应用在充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率控制与管理。
SMT扩展库
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- ￥0.0532
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- ￥0.0515
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3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 85mΩ@4.5V
描述特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
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- ￥0.09872
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- 3260
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 900mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.05Ω@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
RoHS
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- ￥0.6679
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- 3000
3000个/圆盘
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