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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 120mΩ@4.5V
描述这些逻辑电平 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换，在这些应用中需要快速开关、低线路功耗和抗瞬态能力
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- 对比
- ￥3.93
- ￥3.15
- ￥2.76
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- ￥2.02
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- 现货
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4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交51单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@4.5V
描述特性：60V，4A，RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。 高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 符合无铅产品要求。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。 接口
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- 对比
- ￥1.5511
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- ￥1.0543
- ￥0.8683
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- 现货
- 13K+
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交55单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 50mΩ@4.5V
描述这种非常高密度的工艺专门设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
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个
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 76mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
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