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- 耗散功率(Pd)
- 267W
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 40A
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 2.4V@40A,15V
描述这款绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用坚固且经济高效的场截止 II 型沟槽结构，在苛刻的开关应用中提供卓越性能，兼具低导通态电压和最小开关损耗。该 IGBT 非常适合用于 UPS 和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软恢复快速共封装续流二极管。
- 收藏
- 对比
- ￥23.69
- ￥20.66
- ￥18.07
- ￥16.25
- ￥15.41
- ￥15.03
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- 现货
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个
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- 耗散功率(Pd)
- 441W
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 2.05V@40A,15V
描述本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）典型值为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合应用于高性能电源转换系统，如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块，满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。
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