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- 类目
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
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- 类型
- N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 145A
- 耗散功率(Pd)
- 500W
描述特性：典型导通电阻：在栅源电压为18V时为12mΩ，在栅源电压为15V时为15mΩ。 超低栅极电荷（Qg(tot) = 283nC）。 低有效输出电容（Coss = 424pF）。 100%雪崩测试。 结温为175℃。 符合RoHS标准。应用：开关电源。 太阳能逆变器
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描述该N沟道碳化硅MOSFET具备210A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻仅为11mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，器件在高功率密度和高频开关条件下仍能保持低损耗与优异的热稳定性，适用于对效率、体积和动态响应要求严苛的电源转换系统。
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