NTD2955T4G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5246441

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

13A

导通电阻(RDS(on))

100mΩ@10V

描述NTD2955T4G Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

SMT扩展库

NTD2955T4G-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558209

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

30A

导通电阻(RDS(on))

61mΩ@10V；72mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

SMT扩展库

NTD2955T4G(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7472425

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

12A

导通电阻(RDS(on))

150mΩ@10V

描述MOS

RoHSSMT扩展库

HNTD2955T4G

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

TO-252-2L(DPAK)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42401376

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

10A

导通电阻(RDS(on))

80mΩ@10V

描述这款P沟道场效应管支持10A的连续漏极电流，具备60V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为125毫欧姆，有助于减少功率损耗并提高整体效率。栅源电压范围达到20V，使得该MOSFET适用于各种电路设计中需要较高电流处理能力和快速开关特性的场合。它非常适合用于消费电子设备中的电源控制、负载切换等应用领域，能够满足对性能与可靠性有严格要求的设计需求。

SMT扩展库

HSU6113

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

TO-252-2

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C508798

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

13A

导通电阻(RDS(on))

132mΩ@4.5V

描述HSU6113 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU6113 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

RoHSSMT扩展库

DOD20P06

品牌

DOINGTER(杜因特)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41416030

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

20A

导通电阻(RDS(on))

68mΩ@10V

描述P管/-60V/-20A/68mΩ/(典型60.9mΩ)

RoHSSMT扩展库

DE090PG-S

品牌

DOINGTER(杜因特)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41367280

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

13A

导通电阻(RDS(on))

90mΩ@10V

描述P管/-60V/-13A/90mΩ(典型80mΩ)

RoHSSMT扩展库