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价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 185mΩ@10V
描述这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。 此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。
- 收藏
- 对比
- ￥3.48
- ￥2.73
- ￥2.41
- ￥2.01
- ￥1.72
- ￥1.62
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- 现货
- 10K+
1000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交89单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@10V；65mΩ@4.5V
描述MOS
- 收藏
- 对比
- ￥1.271
- ￥0.996
- ￥0.8782
- ￥0.7312
- ￥0.6503
- ￥0.611
现货最快4小时发货
- 现货
- 4935
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交22单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 170mΩ@4.5V
描述应用于便携式设备负载开关。
- 收藏
- 对比
- ￥1.9056
- ￥1.5043
- ￥1.3324
- ￥1.1861
- ￥1.0905
- ￥1.0332
现货最快4小时发货
- 现货
- 1920
1000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交26单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 95mΩ@10V
描述NTF2955T1G 高开启标准Vth:3.0
- 收藏
- 对比
- ￥2.3589
- ￥1.8199
- ￥1.5888
- ￥1.2141
- ￥1.0858
- ￥1.0088
现货最快4小时发货
- 现货
- 1040
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交41单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@10V；65mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
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9.5折
- ￥1.881
- ￥1.843
- ￥1.8145
- ￥1.786
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- 现货
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2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 180mΩ@10V
描述是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。100% EAS保证。有绿色环保器件可供选择。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
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- 对比
- ￥1.2047
- ￥0.9597
- ￥0.8548
- ￥0.7238
- ￥0.6425
- ￥0.6075
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- 现货
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3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交45单
