收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23-6
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数3
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 32mΩ@1.8V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥1.0941
- ￥0.8724
- ￥0.7773
- ￥0.6587
- ￥0.5443
- ￥0.5126
现货最快4小时发货
- 现货
- 3360
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 65mΩ@4.5V
描述功率 MOSFET，-20V，-4.4A，65mΩ，单 P 沟道，TSOP-6
- 收藏
- 对比
- ￥1.894
- ￥1.5036
- ￥1.3363
- ￥1.1275
现货最快4小时发货
- 现货
- 630
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 49mΩ@10V；54mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥1.225105
- ￥0.972315
- ￥0.864025
- ￥0.728875
- ￥0.668695
- ￥0.63257
现货最快4小时发货
- 现货
- 210
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
