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自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
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优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.9A
- 导通电阻(RDS(on))
- 142mΩ@4.5V
描述功率 MOSFET，60V，P 沟道，TSOP6
- 收藏
- 对比
- ￥1.8628
- ￥1.4845
- ￥1.3224
- ￥1.12
- ￥1.03
- ￥0.9759
现货最快4小时发货
- 现货
- 1070
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 118mΩ@10V
描述特性：60V/-3A，RDS(ON) = 95mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 130mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC-DC转换器。 负载开关
- 收藏
- 对比
- ￥1.1733
- ￥0.9213
- ￥0.8133
- ￥0.6786
- ￥0.6186
- ￥0.5825
现货最快4小时发货
- 现货
- 485
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交20单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于便携式设备、智能家居、医疗设备等领域。SOT23-6；N—Channel沟道,60V；7A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥1.6235
- ￥1.428
- ￥1.343
- ￥1.2325
- ￥1.19
- ￥1.156
现货最快4小时发货
- 现货
- 934
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 130mΩ@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥1.2484
- ￥0.9964
- ￥0.8884
- ￥0.7537
- ￥0.6186
- ￥0.5825
现货最快4小时发货
- 现货
- 3095
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
