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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 200A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.4mΩ@10V
描述功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道
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