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- 场效应管(MOSFET)
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型号/品牌/封装/类目
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优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 71A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.8mΩ@4.5V
描述特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。 低RθJC，以减少传导损耗。 低QG和电容，以减少驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 收藏
- 对比
9.8折
- ￥3.05
- ￥2.28
- ￥1.95
- ￥1.5092
- ￥1.323
- ￥1.2152
现货最快4小时发货
- 现货
- 33K+
1500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.6mΩ@10V
描述NTMFS5C670NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥1.3083
- ￥1.1403
- ￥1.0683
- ￥0.9784
- ￥0.9384
- ￥0.9144
现货最快4小时发货
- 现货
- 2040
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交23单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
描述本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有良好的电性能和稳定性，漏源电压VDSS为60V，最大连续漏极电流ID可达80A，导通电阻RDON典型值为5.3mΩ。该器件适用于多种中高功率电源管理与转换应用，如开关电源、电池充放电控制及直流变换器等电路。凭借较低的导通损耗和优异的热稳定性，该MOSFET可有效提升系统效率与可靠性，适合用于对性能和能效有较高要求的电子设备中。
- 收藏
- 对比
9.3折
- ￥2.7063
- ￥2.1483
- ￥1.9065
- ￥1.6089
- ￥1.4694
- ￥1.395
现货最快4小时发货
- 现货
- 56
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交19单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 78A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.2mΩ@10V
描述先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低导通电阻RDS(ON)。100%保证EAS。有环保器件可供选择
- 收藏
- 对比
- ￥2.68
- ￥2.09
- ￥1.83
- ￥1.51
- ￥1.29
- ￥1.2
现货最快4小时发货
- 现货
- 254
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交27单
