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价格梯度(含税)
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操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@2.5V
描述特性：超低导通电阻（RDS(on)）。 更高的效率，延长电池寿命。 逻辑电平栅极驱动。 微型SOIC-8表面贴装封装。 二极管具有高速、软恢复特性。 规定了雪崩能量。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如移动电话、无绳电话和PCMCIA卡
- 收藏
- 对比
- ￥6.03
- ￥5.89
- ￥5.79
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- 现货
- 1
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15mΩ@4.5V；40mΩ@1.8V；21mΩ@2.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；
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8.5折
- ￥1.42205
- ￥1.250775
- ￥1.17742
- ￥0.986595
- ￥0.945795
- ￥0.9214
现货最快4小时发货
- 现货
- 2350
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@4.5V
描述P管/-20V/-10A/20mΩ/(典型15mΩ)
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- 对比
- ￥0.3254
- ￥0.2572
- ￥0.2231
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- 现货
- 2750
3000个/圆盘
个
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近期成交4单
