NTR4003NT1G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5370972

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

500mA

导通电阻(RDS(on))

1.5Ω@4.5V

描述特性：导通电阻：在VSS = 4.5V时为1.5Ω。 驱动电压：2.5V。 环保：符合欧盟RoHS标准，无铅。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关

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NTR4003NT1G-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5343309

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

500mA

导通电阻(RDS(on))

1Ω@10V

描述N-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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HNTR4003NT1G

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42401394

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2.3A

导通电阻(RDS(on))

152mΩ@2.5V

描述这款N沟道场效应管(MOSFET)具备4A的漏极电流(ID)能力，漏源击穿电压(VDSS)为30V，适用于低压操作环境。其导通电阻(RDON)低至29毫欧(mR)，有助于减少能量损耗并提高效率。栅源电压(VGS)额定值为20V，确保了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。此MOSFET凭借其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于需要高效电源管理和紧凑设计的电子设备中，如便携式设备和消费电子产品，能够有效提升整体性能和能效比。

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NTR4003NT1G-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7463560

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6.5A

导通电阻(RDS(on))

30mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

SMT扩展库

TPNTR4003NT1G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5370973

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

500mA

导通电阻(RDS(on))

1.5Ω@4.5V

耗散功率(Pd)

400mW