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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@2.5V
描述这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。
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- 对比
- ￥0.9289
- ￥0.7396
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- ￥0.5741
- ￥0.5173
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个
总额￥0
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
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- 对比
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- 1个
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@4.5V
描述适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
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替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 65mΩ@4.5V
描述特性：VDS = 30V, ID = 3A。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
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