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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
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价格
库存
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价格/库存筛选
自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 350mΩ@4.5V
描述P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V
- 收藏
- 对比
- ￥0.8139
- ￥0.6466
- ￥0.563
- ￥0.5003
- ￥0.3945
- ￥0.3694
现货最快4小时发货
- 现货
- 4560
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交45单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 190mΩ@2.5V
描述应用：电池保护。负载开关。电源管理
- 收藏
- 对比
- ￥0.5746
- ￥0.468
- ￥0.4147
- ￥0.3747
- ￥0.3116
- ￥0.2956
现货最快4小时发货
- 现货
- 1885
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 145mΩ@4.5V；85mΩ@10V
描述特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 V(BR)DS = -30V。 ID = -3A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -4.5V)
- 收藏
- 对比
- ￥0.2998
- ￥0.2358
- ￥0.2038
- ￥0.1798
- ￥0.1606
- ￥0.151
现货最快4小时发货
- 现货
- 310
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 46mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.3905
- ￥0.3828
- ￥0.3777
- ￥0.3726
现货最快4小时发货
- 现货
- 890
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 78mΩ@2.5V
描述应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。
- 收藏
- 对比
- ￥0.236
- ￥0.23
- ￥0.224
订货5-7个工作日
- 库存
- 300K
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
